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O引言ZnO和TiO2兩種寬禁帶半導體由于在光催化方面顯示出的優(yōu)異性能而倍受關注[1].但是單一半導體在反應中存在易發(fā)生光腐蝕、光子利用率低以及氧化還原電勢無法調(diào)變等缺陷[2],使其應用受到限制.基于此種原因,目前的研究多以ZnO或TiO2為基礎,通過金屬離子摻雜、金屬負載以及半導體復合等手段進行修飾以優(yōu)化其性能[3],但是對于ZnO和TiO2復合體系的研究較少,且制備方法集中于機械混合法[4,5].ZnO和TiO2具有相近的禁帶寬度(Eg=3.2 eV)[2]和交錯的能帶位置[6],若將二者在分子水平上混合并加入金屬進行調(diào)變,其結果及性質(zhì)的變化將對光催化材料的設計及制備等研究具有重要意義.本文采用溶膠凝膠法制備了金屬負載的復合型半導體材料Cu/ZnO-TiO2,并著重研究了這種材料的晶體結構、化學組成以及光響應性能.

    doi：
    10.3321/j.issn:1001-4861.2004.09.027
    關鍵詞：
    復合半導體材料Cu/ZnO-TiO 光催化劑 結構表征 吸光性質(zhì)
    作者：
    趙春 鐘順和
    作者單位：
    天津大學化工學院,天津,300072
    刊名：
    無機化學學報
    Journal：
    CHINESE JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY
    年，卷(期)：
    2004, 20(9)
    所屬期刊欄目：
    研究簡報
    分類號：
    O614.121 O614.24+1 O614.41+1 O643
    基金項目：
    國家重點基礎研究發(fā)展計劃(973計劃)
    在線出版日期：
    2004年09月22日
    頁數(shù)：
    6
    頁碼：
    1131-1136