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AgTO2型復合氧化物可見光響應光催化材料，其一般式為AgTO2表示的復合氧化物半導體所構成的光催化材料(式中T表示Al，Ga，In，Cr，F(xiàn)e，Co，Ni元素)。并可以進行摻雜改性，在AgTO2中摻入一定量的金屬，包括：堿金屬、堿土金屬、過渡族金屬、Ge、Sn、Pb、Sb或Bi元素，采用上述金屬的氧化物、氫氧化物、各種無機鹽及有機鹽類為原料，摻雜量為0.1％－10％(質量分數(shù))。該復合氧化物半導體可以用于光催化分解有害化學物質。作為分解有害化學物質的光催化材料時，其特點是：在包括紫外光及可見光在內的光線照射下，對于有害化學物質能夠高效地分解與去除。

申請?zhí)?shy;	CN200610037753
申請日	2006.01.13
公開（公告）號­	CN1799690A
公開（公告）日	2006.07.12
IPC分類號	B01J23/50; B01J23/54; B01J23/68; C09D7/12; B01J37/12; B01J37/16; C02F1/30; B01J23/74
申請（專利權）人	南京大學;
發(fā)明人	歐陽述昕;鄒志剛;
優(yōu)先權號
優(yōu)先權日
申請人地址	江蘇省南京市漢口路22號;
申請人郵編	210093;
CPC分類號