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本發(fā)明提供新的光催化材料生產(chǎn)設(shè)備和光催化材料生產(chǎn)方法，所述設(shè)備和方法能夠通過在高場等離子體中，在高氧化性、高濃度臭氧介質(zhì)狀態(tài)下生產(chǎn)大量高品質(zhì)光催化材料，而不是采用傳統(tǒng)的干沉積方法通過PVD和CVD系統(tǒng)產(chǎn)生光催化材料。在依據(jù)本發(fā)明的光催化材料生產(chǎn)方法和光催化材料生產(chǎn)設(shè)備中，通過放電間隙中的電介質(zhì)材料提供一對相對的電極，向放電間隙中提供主要含氧氣的氣體，在兩個(gè)電極之間施加AC電壓，在放電間隙中產(chǎn)生電介質(zhì)阻擋放電(無聲放電或蠕緩放電)。因此，產(chǎn)生含臭氧氣體的氧氣，通過電介質(zhì)阻擋放電將金屬或金屬化合物改性為光催化材料。

申請?zhí)?shy;	CN200580049102
申請日	2005.07.15
公開（公告）號­	CN101142022A
公開（公告）日	2008.03.12
IPC分類號	B01J35/02; C01B13/11; B01J37/34; B01J19/08
申請（專利權(quán)）人	東芝三菱電機(jī)產(chǎn)業(yè)系統(tǒng)株式會(huì)社;
發(fā)明人	田畑要一郎;西津徹哉;沖原雄二郎;植田良平;
優(yōu)先權(quán)號
優(yōu)先權(quán)日
申請人地址	日本東京;
CPC分類號